Improving Thermoelectric Properties of p-type (BiSb)2(TeSe)3 Single Crystal by Zr Doping
Authors
Požega, EminaVuković, Nikola

Gomidželović, Lidija
Janošević, Miloš
Jovanović, Milenko
Marjanović, Saša
Mitrović, Milijana
Article (Published version)
Metadata
Show full item recordAbstract
In order to study the effect of Zr doping on the thermoelectric properties of p-type Bi10.17Sb30.72 Zr0.35Te58.28Se0.48 single crystal, аn ingot was prepared by Bridgman method. Cut and cleaved samples from different regions of ingot were characterized by a Hall Effect based on the Van der Pauw method. The first measurements were conducted with four ohmic contacts at room temperature and the obtained results were presented in our investigation, earlier. Аlso, high charge carriers mobility was obtained on the sample with silver contacts at the temperature of liquid nitrogen. Single crystal was characterized by Seebeck coefficient (S), conductivity (κ) and resistivity (ρ) measurements as а function of temperature in the range of 40-320°C by a home-made impedance meter. The prepared single crystal has a figure of merit (Z) of 1.22 x 10-3 K-1 at 300°C.
У циљу проучавања утицаја допирања Zr на термоелектричне особине монокристала Bi10.17Sb30.72 Zr0.35Te58.28Se0.48 п-типа, припремљен је ингот Бриџмановом методом. Сечени и цепани узорци из различитих делова ингота испитивани су Холовим ефектом заснованим на Ван дер Пауовој методи. Прва мерења су спроведена са четири омска контакта на собној температури и добијени резултати су представљени у нашим истраживањима раније. Такође, добијена је висока покретљивост носиоца наелектрисања и на узорку са сребрним контактима на температури течног азота. Монокристал је испитиван мерењима Зебековог коефицијента (S), мерењима проводљивости (κ) и отпорности (ρ) у опсегу температуре од 40-320°C мерачем импедансе домаће израде. Добијени монокристал има вредност фактора квалитета (Z) од 1.22x10-3 K-1 на 300°C.
Keywords:
Hall effect / thermoelectric properties / Bridgman method / single crystal / Холов ефекат / термоелектрична својства / Бриџман метода / монокристалSource:
Science of Sintering, 2023, 55, 1, 57-70Publisher:
- Belgrade : Association for ETRAN Society
Funding / projects:
Collections
Institution/Community
Institut za tehnologiju nuklearnih i drugih mineralnih sirovinaTY - JOUR AU - Požega, Emina AU - Vuković, Nikola AU - Gomidželović, Lidija AU - Janošević, Miloš AU - Jovanović, Milenko AU - Marjanović, Saša AU - Mitrović, Milijana PY - 2023 UR - https://ritnms.itnms.ac.rs/handle/123456789/950 AB - In order to study the effect of Zr doping on the thermoelectric properties of p-type Bi10.17Sb30.72 Zr0.35Te58.28Se0.48 single crystal, аn ingot was prepared by Bridgman method. Cut and cleaved samples from different regions of ingot were characterized by a Hall Effect based on the Van der Pauw method. The first measurements were conducted with four ohmic contacts at room temperature and the obtained results were presented in our investigation, earlier. Аlso, high charge carriers mobility was obtained on the sample with silver contacts at the temperature of liquid nitrogen. Single crystal was characterized by Seebeck coefficient (S), conductivity (κ) and resistivity (ρ) measurements as а function of temperature in the range of 40-320°C by a home-made impedance meter. The prepared single crystal has a figure of merit (Z) of 1.22 x 10-3 K-1 at 300°C. AB - У циљу проучавања утицаја допирања Zr на термоелектричне особине монокристала Bi10.17Sb30.72 Zr0.35Te58.28Se0.48 п-типа, припремљен је ингот Бриџмановом методом. Сечени и цепани узорци из различитих делова ингота испитивани су Холовим ефектом заснованим на Ван дер Пауовој методи. Прва мерења су спроведена са четири омска контакта на собној температури и добијени резултати су представљени у нашим истраживањима раније. Такође, добијена је висока покретљивост носиоца наелектрисања и на узорку са сребрним контактима на температури течног азота. Монокристал је испитиван мерењима Зебековог коефицијента (S), мерењима проводљивости (κ) и отпорности (ρ) у опсегу температуре од 40-320°C мерачем импедансе домаће израде. Добијени монокристал има вредност фактора квалитета (Z) од 1.22x10-3 K-1 на 300°C. PB - Belgrade : Association for ETRAN Society T2 - Science of Sintering T1 - Improving Thermoelectric Properties of p-type (BiSb)2(TeSe)3 Single Crystal by Zr Doping EP - 70 IS - 1 SP - 57 VL - 55 DO - 10.2298/SOS2301057P ER -
@article{ author = "Požega, Emina and Vuković, Nikola and Gomidželović, Lidija and Janošević, Miloš and Jovanović, Milenko and Marjanović, Saša and Mitrović, Milijana", year = "2023", abstract = "In order to study the effect of Zr doping on the thermoelectric properties of p-type Bi10.17Sb30.72 Zr0.35Te58.28Se0.48 single crystal, аn ingot was prepared by Bridgman method. Cut and cleaved samples from different regions of ingot were characterized by a Hall Effect based on the Van der Pauw method. The first measurements were conducted with four ohmic contacts at room temperature and the obtained results were presented in our investigation, earlier. Аlso, high charge carriers mobility was obtained on the sample with silver contacts at the temperature of liquid nitrogen. Single crystal was characterized by Seebeck coefficient (S), conductivity (κ) and resistivity (ρ) measurements as а function of temperature in the range of 40-320°C by a home-made impedance meter. The prepared single crystal has a figure of merit (Z) of 1.22 x 10-3 K-1 at 300°C., У циљу проучавања утицаја допирања Zr на термоелектричне особине монокристала Bi10.17Sb30.72 Zr0.35Te58.28Se0.48 п-типа, припремљен је ингот Бриџмановом методом. Сечени и цепани узорци из различитих делова ингота испитивани су Холовим ефектом заснованим на Ван дер Пауовој методи. Прва мерења су спроведена са четири омска контакта на собној температури и добијени резултати су представљени у нашим истраживањима раније. Такође, добијена је висока покретљивост носиоца наелектрисања и на узорку са сребрним контактима на температури течног азота. Монокристал је испитиван мерењима Зебековог коефицијента (S), мерењима проводљивости (κ) и отпорности (ρ) у опсегу температуре од 40-320°C мерачем импедансе домаће израде. Добијени монокристал има вредност фактора квалитета (Z) од 1.22x10-3 K-1 на 300°C.", publisher = "Belgrade : Association for ETRAN Society", journal = "Science of Sintering", title = "Improving Thermoelectric Properties of p-type (BiSb)2(TeSe)3 Single Crystal by Zr Doping", pages = "70-57", number = "1", volume = "55", doi = "10.2298/SOS2301057P" }
Požega, E., Vuković, N., Gomidželović, L., Janošević, M., Jovanović, M., Marjanović, S.,& Mitrović, M.. (2023). Improving Thermoelectric Properties of p-type (BiSb)2(TeSe)3 Single Crystal by Zr Doping. in Science of Sintering Belgrade : Association for ETRAN Society., 55(1), 57-70. https://doi.org/10.2298/SOS2301057P
Požega E, Vuković N, Gomidželović L, Janošević M, Jovanović M, Marjanović S, Mitrović M. Improving Thermoelectric Properties of p-type (BiSb)2(TeSe)3 Single Crystal by Zr Doping. in Science of Sintering. 2023;55(1):57-70. doi:10.2298/SOS2301057P .
Požega, Emina, Vuković, Nikola, Gomidželović, Lidija, Janošević, Miloš, Jovanović, Milenko, Marjanović, Saša, Mitrović, Milijana, "Improving Thermoelectric Properties of p-type (BiSb)2(TeSe)3 Single Crystal by Zr Doping" in Science of Sintering, 55, no. 1 (2023):57-70, https://doi.org/10.2298/SOS2301057P . .